儀器介紹
本系統採用三維笛卡兒幾何偏光光學配置,將 X 光管、二次靶、樣品及偵測器依特定角度排列。X 光管先照射二次靶,再利用二次靶所產生的單色或偏極化 X 光激發樣品,可有效降低散射背景,提高元素特徵峰與背景訊號的比值。
EDXL-300 搭載電子冷卻式矽漂移偵測器(SDD),不需使用液態氮。系統可依目標元素選擇適合的二次靶及量測條件,元素分析範圍涵蓋鈉(Na)至鈾(U)。
本所配置真空量測系統。真空環境可減少空氣對低能量 X 光螢光的吸收,提升鈉、鎂、鋁、矽、磷及硫等輕元素的量測靈敏度,適合寶石、礦物、玻璃、陶瓷及其他無機材料的元素分析。
本所另配置 15 試料自動交換器,可一次放置多件樣品,依預先設定的測量順序進行自動連續分析,適合批次樣品、標準樣品、品質管制樣品及不同材料之間的比較。
搭配 RPF-SQX 基本參數分析功能,可運用光譜峰形擬合、元素間吸收與激發修正及散射線基本參數法,進行樣品的定性、半定量與定量分析。
儀器原理
能量散射型 X 光螢光分析法以 X 光照射樣品,使樣品內原子的內層電子受到激發並產生能階空缺。外層電子遷移至較低能階填補空缺時,會釋放具有元素特徵能量的螢光 X 射線。
不同元素會產生不同能量的特徵 X 射線,因此可根據光譜峰的能量位置判斷樣品中的元素種類;特徵峰強度則可配合校正曲線法或基本參數法,用於評估元素含量。
EDXL-300 採用間接二次靶激發方式。X 光管先照射系統選定的二次靶,再由二次靶產生適合目標元素的激發 X 射線。X 光管、二次靶、樣品及偵測器形成三維偏光光學配置,可降低分析背景並提高元素特徵峰的辨識度。
電子冷卻式矽漂移偵測器會依能量分離樣品所放出的 X 光螢光,形成各元素的特徵光譜。
真空量測系統透過降低樣品室內的空氣含量,減少低能量 X 光螢光在傳遞過程中的吸收,使輕元素訊號更容易被偵測。
15 試料自動交換器則依預先設定的分析程序,將不同樣品依序移動至分析位置,完成自動且一致的批次元素分析。
應用範圍
- 寶石與礦物的主要元素及微量元素分析
- 不同寶石、礦物及岩石的元素組成比較
- 翡翠、軟玉及其他玉石的元素特徵分析
- 紅寶石、藍寶石、祖母綠及彩色寶石的元素篩選
- 天然、合成及處理寶石的輔助鑑別
- 寶石產地研究中的元素特徵比較
- 礦物、礦石、土壤及地質材料分析
- 玻璃、陶瓷、釉料及水泥材料分析
- 金屬、貴金屬、焊料及合金材料鑑別
- 聚合物、塑膠、橡膠及樹脂中的無機元素分析
- 塗層、薄膜及表面材料的元素組成分析
- 液體、溶液及懸浮液樣品的元素分析
- 顏料、粉末、填料及未知材料分析
- 環境管制元素與有害元素篩檢
- 氯、溴及其他可量測元素的篩選分析
- 不同批次原料與成品的元素組成比較
- 異物、沉積物及污染物的元素鑑別
- 標準樣品與品質管制樣品的自動連續分析
- 複雜基質中主要與微量元素的半定量分析
- 使用標準樣品建立定量校正方法
儀器規格
| 儀器型號 | Rigaku EDXL-300 |
|---|---|
| 海外對應型號 | Rigaku NEX CG |
| 儀器類型 | 偏光式能量散射型 X 光螢光分析儀 |
| 英文技術名稱 | Cartesian Geometry Energy Dispersive X-ray Fluorescence Spectrometry |
| 量測原理 | 二次靶激發與三維笛卡兒幾何偏光 X 射線螢光分析 |
| 元素分析範圍 | Na 至 U |
| 適用樣品 | 固體、粉末、液體、懸浮液、金屬、聚合物、塗層及薄膜 |
| X 射線管靶材 | Pd 靶 |
| X 射線管最高電壓 | 50 kV |
| X 射線管最大電流 | 1 mA |
| X 射線管最大功率 | 50 W |
| 激發系統 | 多組二次靶激發 |
| 偵測器 | 矽漂移偵測器(SDD) |
| 偵測器冷卻方式 | 電子冷卻,不需液態氮 |
| 量測環境 | 空氣與真空 |
| 真空系統 | 真空量測系統,本所已配置 |
| 自動換樣系統 | 15 試料自動交換器,本所已配置 |
| 最大自動量測數量 | 15 個樣品 |
| 基本參數分析 | RPF-SQX 基本參數分析 |
| 定量方式 | 基本參數法與校正曲線法 |
| 分析方式 | 定性、半定量、定量及批次比較分析 |
| 主要用途 | 主要與微量元素分析、未知材料分析及品質管制 |
樣品需求
固體樣品可依尺寸、形態及分析目的放置於適合的樣品位置進行量測。
寶石、礦物、金屬、玻璃及陶瓷等固體材料,建議提供具有代表性且可對準分析位置的表面。
粉末樣品可裝入適合的 XRF 樣品杯,並均勻裝填,使量測表面平整且具有代表性。
液體及懸浮液樣品可裝入適合 XRF 分析的樣品杯,並搭配適當的 XRF 薄膜。
進行批次分析時,各樣品建議採用一致的容器、裝填方式及量測條件。
實際二次靶、真空條件及分析方法,將依樣品形態、目標元素、基質及分析目的進行選擇。